IDT推出為6G SAS/SATA優(yōu)化的業(yè)界首款高性能中繼器/安森美半導體推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC

作 者：   作者單位：   刊 名： 電子與電腦  英文刊名： COMPOTECH CHINA  年，卷(期)： 2010 ""(1)  分類號：   關鍵詞：  

【IDT推出為6G SAS/SATA優(yōu)化的業(yè)界首款高性能中繼器/安森美半導】相關文章：

安捷倫科技推出PXA高性能信號分析儀04-27

中繼器·什么是中繼器04-26

SCSI及SAS硬盤·什么是轉速04-26

SCSI及SAS硬盤·什么是緩存04-26

IDT視平板顯示為重,推DisplayPort兼容方案04-27

谷歌為解決“用戶隱私”問題推出新系統(tǒng)03-07

半干法脫硫工藝在薛村電廠的應用及優(yōu)化改造04-26

SCSI及SAS硬盤·什么是抗震指數04-26

SCSI及SAS硬盤·什么是閑置噪音04-26

SCSI及SAS硬盤·什么是SCSI硬盤04-26